Ege Üniversitesi Güneş Enerjisi Enstitüsü Enerji Teknolojisi Anabilim Dalı Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu’nun yürütücülüğünü üstlendiği “Yeni Nesil, Kurşunsuz Yüksek Performanslı FET'ler İçin Bizmut Tabanlı Yarı İletkenler” başlıklı proje, TÜBİTAK-ARDEB “1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı” kapsamında desteklenmeye hak kazandı.
Ege Üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Necdet Budak, Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu’yu makamında ağırlayarak başarılarından dolayı tebrik etti. Prof. Dr. Budak, üniversitelerinin bilimsel üretkenlik ve araştırma ekosisteminin ulusal ve uluslararası düzeyde takdir edildiğini belirtti. Küresel standartlarda araştırma ve inovasyon faaliyetlerine ev sahipliği yapan üniversitenin, proje hazırlama ve başvuru süreçlerinin sürdürülebilir hale geldiğini vurgulayan Prof. Dr. Budak, Ege Üniversitesi'nin bilimsel katkılarıyla ülkeyi ve dünya genelini daha iyiye taşımak için çalışmalarını sürdüreceklerini, TÜBİTAK-ARDEB programı kapsamında desteklenen Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu'yu kutladığını ve başarılarının devamını dilediğini söyledi.
Çevre dostu ve yüksek performanslı
Projenin içeriği hakkında bilgi veren Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu, yenilikçi elektronik cihazlar geliştirmek adına önemli bir adım attıklarını, projenin, çevre dostu ve yüksek performanslı alan etkili transistörler (FET) üretmeyi amaçladığını ifade etti. Dr. Öğr. Üyesi Mutlu, metil amonyum bizmut iyodür (MBI) ve gümüş bizmut iyodür (ABI) yarıiletkenlerine odaklanarak, kurşun bazlı malzemelere güçlü bir alternatif sunmayı hedeflediklerini dile getirdi.
Dr. Öğr. Üyesi Adem Mutlu, MBI ve ABI ince filmlerini kullanarak, çevre dostu çözücülerle yüksek performanslı transistörler geliştirmeyi amaçladıklarını, bizmut tabanlı malzemelerin, yüksek performanslı transistörler için güçlü bir aday olduğunu ve yeni malzeme uygulamalarının önünü açacağını öngördüklerini, üretecekleri FET'lerin yüksek mobilite ve düşük histeresis özellikleri ile dikkat çekmesini planladıklarını belirtti.
Yeni bir alan açacak
Araştırmanın yöntemlerine de değinen Dr. Öğr. Üyesi Mutlu, proje kapsamında, transistör uygulamaları için yeni nesil yarıiletken yapıların geliştirilmesine odaklanacaklarını, metilamin gazı kullanılarak MBI yapısını oluşturacaklarını ve farklı Ag/Bi molar oranlarıyla ABI yapılarını elde ettikten sonra, altlıklar üzerine kaplayarak FET üretiminde kullanacaklarını söyledi. Çözelti hazırlama, ince film kaplama, termal işlem ve elektriksel karakterizasyon yöntemlerini detaylı olarak inceleyeceklerini kaydeden Dr. Öğr. Üyesi Mutlu, elde edilen sonuçların, ileri elektronik cihazlar için bizmut tabanlı toksik olmayan malzemelerin potansiyelini ortaya çıkaracağını ifade etti.
Proje kapsamında birçok yeniliği bilim dünyasına sunacaklarını belirten Dr. Öğr. Üyesi Mutlu, MBI ve ABI yapılarının, yeşil elektronik alanında önemli bir gelişme sağlayacağını, transistörlerin yüksek yük taşıyıcı mobilite ve Ion/Ioff akım oranı ile yüksek performans sergilemesinin beklenmekte olduğunu dile getirdi. Projenin, çevre dostu teknolojilerin geliştirilmesine katkı sağlayacağını ve elektronik dünyasında yeni bir alan açacağını söyleyen Dr. Öğr. Üyesi Mutlu, geleceğin daha temiz ve verimli elektronik dünyasına katkıda bulunmayı hedeflediklerini kaydederek sözlerini noktaladı.